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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    BSZ0907NDXTMA2

    BSZ0907NDXTMA2

    MOSFET 2N-CH 30V 6.7A WISON-8

    Infineon Technologies

    0
    RFQ
    BSZ0907NDXTMA2

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 6.7A (Ta), 8.5A (Ta) 9.5mOhm @ 9A, 10V, 7.2mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 6.4nC @ 4.5V, 7.9nC @ 4.5V 730pF @ 15V, 900pF @ 15V 700mW (Ta), 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-WISON-8
    BSZ0908NDXTMA2

    BSZ0908NDXTMA2

    MOSFET 2N-CH 30V 4.8A WISON-8

    Infineon Technologies

    0
    RFQ

    -

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 4.8A (Ta), 7.6A (Ta) 18mOhm @ 9A, 10V, 9mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 3nC @ 4.5V, 6.4nC @ 4.5V 340pF @ 15V, 730pF @ 15V 700mW (Ta), 860mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-WISON-8
    FF1MR12KM1HP

    FF1MR12KM1HP

    MOSFET

    Infineon Technologies

    0
    RFQ

    -

    - - Tray Active - - - - - - - - - - - - - - -
    IRF8910TRPBF-1

    IRF8910TRPBF-1

    MOSFET 2N-CH 20V 10A 8SO

    Infineon Technologies

    0
    RFQ

    -

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 20V 10A (Ta) 13.4mOhm @ 10A, 10V 2.55V @ 250µA 11nC @ 4.5V 960pF @ 10V 2W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N06S2L65AAUMA1

    IPG20N06S2L65AAUMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    0
    RFQ

    -

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 20A (Tc) 65mOhm @ 15A, 10V 2V @ 14µA 12nC @ 10V 410pF @ 25V 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IPG20N06S2L65AUMA1

    IPG20N06S2L65AUMA1

    MOSFET

    Infineon Technologies

    0
    RFQ

    -

    - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - - - -
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