Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tecnología | Configuración | Característica FET | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Potencia: máx. | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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CSD87330Q3DTMOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON Texas Instruments |
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![]() Tabla de datos |
NexFET™ | 8-PowerLDFN | Bulk | Active | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | 30V | 20A (Ta) | 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA | 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V | 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V | 6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 8-LSON (3.3x3.3) |