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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FDMJ1023PZ

    FDMJ1023PZ

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A SC75

    Fairchild Semiconductor

    3,462
    RFQ
    FDMJ1023PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 2.9A 112mOhm @ 2.9A, 4.5V 1V @ 250µA 6.5nC @ 4.5V 400pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount SC-75, MicroFET
    SI6953DQ

    SI6953DQ

    MOSFET 2P-CH 20V 1.9A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    1,500
    RFQ
    SI6953DQ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 20V 1.9A (Ta) 170mOhm @ 1.9A, 10V 3V @ 250µA 10nC @ 10V 218pF @ 10V 600mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDW2515NZ

    FDW2515NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    165,292
    RFQ
    FDW2515NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain - 20V 5.8A (Ta) 28mOhm @ 5.8A, 4.5V 1.5V @ 250µA 12nC @ 5V 745pF @ 10V 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDS6930A

    FDS6930A

    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    4,310
    RFQ
    FDS6930A

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5.5A 40mOhm @ 5.5A, 10V 3V @ 250µA 7nC @ 5V 460pF @ 15V 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    FDW2511NZ

    FDW2511NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 7.1A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    348,586
    RFQ
    FDW2511NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Drain Logic Level Gate 20V 7.1A 20mOhm @ 7.1A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17.3nC @ 4.5V 1000pF @ 10V 1.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDZ1905PZ

    FDZ1905PZ

    MOSFET 2P-CH 6WLCSP

    Fairchild Semiconductor

    2,700
    RFQ
    FDZ1905PZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UFBGA, WLCSP Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate - - 126mOhm @ 1A, 4.5V 1V @ 250µA - - 900mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)
    SI6955DQ

    SI6955DQ

    MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSSOP

    Fairchild Semiconductor

    8,528
    RFQ
    SI6955DQ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 30V 2.5A (Ta) 85mOhm @ 2.5A, 10V 3V @ 250µA 15nC @ 10V 298pF @ 10V 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSSOP
    FDM2509NZ

    FDM2509NZ

    MOSFET 2N-CH 20V 8.7A MICRO 2X2

    Fairchild Semiconductor

    4,849
    RFQ
    FDM2509NZ

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 8.7A 18mOhm @ 8.7A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 1200pF @ 10V 800mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount MicroFET 2x2 Thin
    FDMA6023PZT

    FDMA6023PZT

    MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 6MICROFET

    Fairchild Semiconductor

    149,948
    RFQ
    FDMA6023PZT

    Tabla de datos

    PowerTrench® 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 3.6A 60mOhm @ 3.6A, 4.5V 1.5V @ 250µA 17nC @ 4.5V 885pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
    FDS9933

    FDS9933

    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC

    Fairchild Semiconductor

    20,000
    RFQ
    FDS9933

    Tabla de datos

    PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5A 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 1.2V @ 250µA 20nC @ 4.5V 825pF @ 10V 900mW -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
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