Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tecnología | Configuración | Característica FET | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Potencia: máx. | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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EPC7018DCMOSFET 2N-CH 100V 70A 4SMD EPC Space, LLC |
32 |
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![]() Tabla de datos |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | GaNFET (Gallium Nitride) | 2 N-Channel (Half Bridge) | - | 100V | 70A (Tc) | 6.5mOhm @ 70A, 5V | 2.5V @ 5mA | 17nC @ 5V | 1700pF @ 50V | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG20N04ACMOSFET 200V 4A 4SMD EPC Space, LLC |
330 |
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![]() Tabla de datos |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | MOSFET (Metal Oxide) | - | Logic Level Gate | 200V | 4A (Tc) | 130mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 1mA | 3nC @ 5V | 150pF @ 100V | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |
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FBG30N04CSHMOSFET 2N-CH 300V 4A 4SMD EPC Space, LLC |
46 |
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![]() Tabla de datos |
eGaN® | 4-SMD, No Lead | Bulk | Active | GaNFET (Gallium Nitride) | 2 N-Channel | - | 300V | 4A (Tc) | 404mOhm @ 4A, 5V | 2.8V @ 600µA | 2.6nC @ 5V | 450pF @ 150V | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | 4-SMD |