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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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TN5335N8-GMOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Microchip Technology |
1,403 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 230mA (Tj) | 3V, 10V | 15Ohm @ 200mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 110 pF @ 25 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-243AA (SOT-89) |
,TO-226_straightlead.jpg)
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TN0110N3-G-P002MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3 Microchip Technology |
1,864 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 350mA (Tj) | 4.5V, 10V | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 500µA | - | ±20V | 60 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VN2450N3-GMOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3 Microchip Technology |
466 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 500 V | 200mA (Tj) | 4.5V, 10V | 13Ohm @ 400mA, 10V | 4V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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VN0606L-GMOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3 Microchip Technology |
302 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 60 V | 330mA (Tj) | 10V | 3Ohm @ 1A, 10V | 2V @ 1mA | - | ±30V | 50 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TN2540N3-GMOSFET N-CH 400V 175MA TO92-3 Microchip Technology |
168 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 175mA (Tj) | 4.5V, 10V | 12Ohm @ 500mA, 10V | 2V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TN2435N8-GMOSFET N-CH 350V 365MA TO243AA Microchip Technology |
4,978 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 365mA (Tj) | 3V, 10V | 6Ohm @ 750mA, 10V | 2.5V @ 1mA | - | ±20V | 200 pF @ 25 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-243AA (SOT-89) |
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TP2520N8-GMOSFET P-CH 200V 260MA TO243AA Microchip Technology |
3,522 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 260mA (Tj) | 4.5V, 10V | 12Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-243AA (SOT-89) |
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TP2502N8-GMOSFET P-CH 20V 630MA TO243AA Microchip Technology |
197 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-243AA | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 20 V | 630mA (Tj) | 5V, 10V | 2Ohm @ 1A, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 20 V | - | 1.6W (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-243AA (SOT-89) |
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TN0620N3-G-P002MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 Microchip Technology |
6,309 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Cut Tape (CT) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 250mA (Tj) | 5V, 10V | 6Ohm @ 500mA, 10V | 1.6V @ 1mA | - | ±20V | 150 pF @ 25 V | - | 1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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TP2540N3-GMOSFET P-CH 400V 86MA TO92-3 Microchip Technology |
998 | - |
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Tabla de datos |
- | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bag | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 400 V | 86mA (Tj) | 4.5V, 10V | 25Ohm @ 100mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 125 pF @ 25 V | - | 740mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-92-3 |
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