Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Configuración del diodo | Tecnología | Voltaje: CC inverso (Vr) (máx.) | Corriente: rectificada promedio (Io) (por diodo) | Voltaje: directo (Vf) (máx.) a If | Velocidad | Recuperación inversa Tiempo (trr) | Corriente: fuga inversa a Vr | Temperatura de funcionamiento - Unión | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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DCG160X650NADIODE MOD SIC 650V 80A SOT227B IXYS |
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![]() Tabla de datos |
DCG 160X650NA | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | 1 Pair Common Cathode | SiC (Silicon Carbide) Schottky | 650 V | 80A | 1.35 V @ 50 A | No Recovery Time > 500mA (Io) | 0 ns | - | - | - | - | Chassis Mount | SOT-227B |
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MDD600-14N1DIODE MODULE GEN PURP 1400V 883A IXYS |
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![]() Tabla de datos |
- | Module | Tray | Obsolete | 1 Pair Series Connection | Standard | 1400 V | 883A | 1.15 V @ 1800 A | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 18 µs | 50 mA @ 1400 V | -40°C ~ 125°C | - | - | Chassis Mount | - |