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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IRF7316TRPBF

    IRF7316TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO

    Infineon Technologies

    30,848
    RFQ
    IRF7316TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4.9A 58mOhm @ 4.9A, 10V 1V @ 250µA 34nC @ 10V 710pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7341TRPBFXTMA1

    IRF7341TRPBFXTMA1

    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902

    Infineon Technologies

    11,540
    RFQ
    IRF7341TRPBFXTMA1

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel Logic Level Gate 55V 4.7A (Tc) 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-DSO-8-902
    IPG16N10S4L61AATMA1

    IPG16N10S4L61AATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

    Infineon Technologies

    18,011
    RFQ
    IPG16N10S4L61AATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 16A 61mOhm @ 16A, 10V 2.1V @ 90µA 11nC @ 10V 845pF @ 25V 29W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
    IRF7389TRPBF

    IRF7389TRPBF

    MOSFET N/P-CH 30V 8SO

    Infineon Technologies

    2,795
    RFQ
    IRF7389TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V - 29mOhm @ 5.8A, 10V 1V @ 250µA 33nC @ 10V 650pF @ 25V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N04S4L11ATMA1

    IPG20N04S4L11ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    38,095
    RFQ
    IPG20N04S4L11ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A 11.6mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 15µA 26nC @ 10V 1990pF @ 25V 41W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRF7341TRPBF

    IRF7341TRPBF

    MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO

    Infineon Technologies

    15,612
    RFQ
    IRF7341TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 55V 4.7A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7907TRPBF

    IRF7907TRPBF

    MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO

    Infineon Technologies

    4,911
    RFQ
    IRF7907TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9.1A, 11A 16.4mOhm @ 9.1A, 10V 2.35V @ 25µA 10nC @ 4.5V 850pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IRF7343TRPBF

    IRF7343TRPBF

    MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO

    Infineon Technologies

    38,271
    RFQ
    IRF7343TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 55V 4.7A, 3.4A 50mOhm @ 4.7A, 10V 1V @ 250µA 36nC @ 10V 740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IAUC45N04S6N070HATMA1

    IAUC45N04S6N070HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON

    Infineon Technologies

    12,078
    RFQ
    IAUC45N04S6N070HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 40V 45A (Tj) 7mOhm @ 22A, 10V 3V @ 9µA 12nC @ 10V 701pF @ 25V 41W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-57
    IRF9358TRPBF

    IRF9358TRPBF

    MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO

    Infineon Technologies

    4,873
    RFQ
    IRF9358TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9.2A 16.3mOhm @ 9.2A, 10V 2.4V @ 25µA 38nC @ 10V 1740pF @ 25V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
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