Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tecnología | Configuración | Característica FET | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Potencia: máx. | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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MSCSM120X10CTYZBNMGMOSFET 6N-CH 1200V 28A Microchip Technology |
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![]() Tabla de datos |
- | Module | Bulk | Active | Silicon Carbide (SiC) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | - | 1200V (1.2kV) | 28A (Tc), 49A (Tc) | 100mOhm @ 15A, 20V, 50mOhm @ 40A, 20V | 2.8V @ 1mA, 2.7V @ 2mA | 64nC @ 20V, 137nC @ 20V | 838pF @ 1000V, 1990pF @ 1000V | 116W (Tc), 196W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | - |
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MSCSM70XM45CTYZBNMGMOSFET 6N-CH 700V 52A Microchip Technology |
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![]() Tabla de datos |
- | Module | Bulk | Active | Silicon Carbide (SiC) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | - | 700V | 52A (Tc), 110A (Tc) | 44mOhm @ 30A, 20V, 19mOhm @ 40A, 20V | 2.7V @ 2mA, 2.4V @ 4mA | 99nC @ 20V, 215nC @ 20V | 2010pF @ 700V, 4500pF @ 700V | 141W (Tc), 292W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | - |
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DRF1510-CLASS-DRF MOSFET (VDMOS) FULL-BRIDGE 13 Microchip Technology |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |