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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    TC6320TG-G

    TC6320TG-G

    MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

    Microchip Technology

    3,664
    RFQ
    TC6320TG-G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 200V - 7Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - 110pF @ 25V, 125pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    TD9944TG-G

    TD9944TG-G

    MOSFET 2N-CH 240V 8SOIC

    Microchip Technology

    12,021
    RFQ
    TD9944TG-G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 240V - 6Ohm @ 500mA, 10V 2V @ 1mA - 125pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    TC2320TG-G

    TC2320TG-G

    MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

    Microchip Technology

    6,226
    RFQ
    TC2320TG-G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 200V - 7Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - 110pF @ 25V, 125pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    TC8220K6-G

    TC8220K6-G

    MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

    Microchip Technology

    3,481
    RFQ
    TC8220K6-G

    Tabla de datos

    - 12-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N and 2 P-Channel - 200V - 6Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA - 56pF @ 25V, 75pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-DFN (4x4)
    TC6320K6-G

    TC6320K6-G

    MOSFET N/P-CH 200V 8DFN

    Microchip Technology

    4,542
    RFQ
    TC6320K6-G

    Tabla de datos

    - 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 200V - 7Ohm @ 1A, 10V 2V @ 1mA - 110pF @ 25V, 125pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (4x4)
    TC7920K6-G

    TC7920K6-G

    MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN

    Microchip Technology

    5,637
    RFQ
    TC7920K6-G

    Tabla de datos

    - 12-VFDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N and 2 P-Channel - 200V - 10Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA - 52pF @ 25V, 54pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 12-DFN (4x4)
    TC6215TG-G

    TC6215TG-G

    MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC

    Microchip Technology

    476
    RFQ
    TC6215TG-G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 150V - 4Ohm @ 2A, 10V 2V @ 1mA - 120pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    DN2625DK6-G

    DN2625DK6-G

    MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8DFN

    Microchip Technology

    460
    RFQ
    DN2625DK6-G

    Tabla de datos

    - 8-VDFN Exposed Pad Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Depletion Mode 250V 1.1A 3.5Ohm @ 1A, 0V - 7.04nC @ 1.5V 1000pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-DFN (5x5)
    TC1550TG-G

    TC1550TG-G

    MOSFET N/P-CH 500V 8SOIC

    Microchip Technology

    3,803
    RFQ
    TC1550TG-G

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 500V - 60Ohm @ 50mA, 10V 4V @ 1mA - 55pF @ 25V, 70pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    TC8020K6-G

    TC8020K6-G

    MOSFET 6N/6P-CH 200V 56QFN

    Microchip Technology

    722
    RFQ
    TC8020K6-G

    Tabla de datos

    - 56-VFQFN Exposed Pad Tray Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N and 6 P-Channel - 200V - 8Ohm @ 1A, 10V 2.4V @ 1mA - 50pF @ 25V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 56-QFN (8x8)
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