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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    QH8KB6TCR

    QH8KB6TCR

    MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    5,395
    RFQ
    QH8KB6TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 8A (Ta) 17.7mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8K25GZ0TB1

    SH8K25GZ0TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    17,345
    RFQ
    SH8K25GZ0TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 5.2A (Ta) 85mOhm @ 5.2A, 10V 2.5V @ 1mA 1.7nC @ 5V 100pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8KA1TB

    HP8KA1TB

    MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    2,500
    RFQ
    HP8KA1TB

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 14A 5mOhm @ 14A, 10V 2.5V @ 10mA 24nC @ 4.5V 2550pF @ 15V 3W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8K52GZETB

    SH8K52GZETB

    MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    9,832
    RFQ
    SH8K52GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 3A (Ta) 170mOhm @ 3A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 610pF @ 25V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8KA2GZETB

    SH8KA2GZETB

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,503
    RFQ
    SH8KA2GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs - 2 N-Channel (Dual) - 30V 8A 28mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 10V 330pF @ 15V 2.8W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8M6HZGTB

    SP8M6HZGTB

    MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    328
    RFQ
    SP8M6HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 51mOhm @ 5A, 10V, 90mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V, 490pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8M3HZGTB

    SP8M3HZGTB

    MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,825
    RFQ
    SP8M3HZGTB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 5A (Ta), 4.5A (Ta) 51mOhm @ 5A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 230pF @ 10V, 850pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8KA2TB1

    SH8KA2TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,002
    RFQ
    SH8KA2TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 8A (Ta) 28mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 8nC @ 10V 330pF @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M24TB1

    SH8M24TB1

    MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    6,563
    RFQ
    SH8M24TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 45V 4.5A, 3.5A 46mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nC @ 5V 550pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8K37GZETB

    SH8K37GZETB

    MOSFET 2N-CH 60V 5.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,356
    RFQ
    SH8K37GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 5.5A (Ta) 46mOhm @ 5.5A, 10V 2.7V @ 100µA 9.7nC @ 10V 500pF @ 30V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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