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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SH8KE6TB1

    SH8KE6TB1

    MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,498
    RFQ
    SH8KE6TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 4.5A (Ta) 58mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 6.7nC @ 10V 305pF @ 50V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8K80TB1

    SP8K80TB1

    MOSFET 2N-CH 500V 0.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    496
    RFQ
    SP8K80TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 500V 500mA (Ta) 11.7Ohm @ 250mA, 10V 5V @ 1mA 3.8nC @ 10V 23.5pF @ 25V 2W (Ta) - - - Surface Mount 8-SOP
    SH8KA7GZETB

    SH8KA7GZETB

    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,267
    RFQ
    SH8KA7GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 15A (Ta) 9.3mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 81nC @ 10V 3320pF @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8M51TB1

    HP8M51TB1

    MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    673
    RFQ
    HP8M51TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 100V 4.5A (Ta) 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 15nC @ 10V, 26.2nC @ 10V 600pF @ 50V, 1430pF @ 50V 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8J66TB1

    SH8J66TB1

    MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    7,213
    RFQ
    SH8J66TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9A 18.5mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 35nC @ 5V 3000pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    US6J12TCR

    US6J12TCR

    MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    2,738
    RFQ
    US6J12TCR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 12V 2A (Ta) 105mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 7.6nC @ 4.5V 850pF @ 6V 910mW (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    HS8K11TB

    HS8K11TB

    MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML

    Rohm Semiconductor

    1,306
    RFQ
    HS8K11TB

    Tabla de datos

    - 8-UDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 7A, 11A 17.9mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 11.1nC @ 10V 500pF @ 15V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount HSML3030L10
    US6M1TR

    US6M1TR

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.4A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    11,776
    RFQ
    US6M1TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 1.4A, 1A 240mOhm @ 1.4A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V 70pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    US6J2TR

    US6J2TR

    MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    4,354
    RFQ
    US6J2TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1A 390mOhm @ 1A, 4.5V 2V @ 1mA 2.1nC @ 4.5V 150pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    SH8K25GZ0TB

    SH8K25GZ0TB

    MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,770
    RFQ
    SH8K25GZ0TB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 5.2A (Ta) 85mOhm @ 5.2A, 10V 2.5V @ 1mA 1.7nC @ 5V 100pF @ 10V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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