Sesión o Registro
    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































    全部重置
    应用所有
    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    QS8J13TR

    QS8J13TR

    MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    183
    RFQ
    QS8J13TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 5.5A 22mOhm @ 5.5A, 4.5V 1V @ 1mA 60nC @ 4.5V 6300pF @ 6V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8MB5TCR

    QH8MB5TCR

    MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    2,826
    RFQ
    QH8MB5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 40V 4.5A (Ta), 5A (Ta) 44mOhm @ 4.5A, 10V, 41mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.5nC @ 10V, 17.2nC @ 10V 150pF @ 20V, 920pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8MA4TCR

    QH8MA4TCR

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    3,065
    RFQ
    QH8MA4TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 9A, 8A 16mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15.5nC @ 10V 640pF @ 15V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8MC5TCR

    QH8MC5TCR

    MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    4,202
    RFQ
    QH8MC5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 3A (Ta), 3.5A (Ta) 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V 135pF @ 30V, 850pF @ 30V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8KA4TB

    SH8KA4TB

    MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    41,283
    RFQ
    SH8KA4TB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs - 2 N-Channel (Dual) - 30V 9A 21.4mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15.5nC @ 10V 640pF @ 15V 3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    QS8J2TR

    QS8J2TR

    MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    7,407
    RFQ
    QS8J2TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.5V Drive 12V 4A 36mOhm @ 4A, 4.5V 1V @ 1mA 20nC @ 4.5V 1940pF @ 6V 550mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8KC6TB1

    SH8KC6TB1

    MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    13,189
    RFQ
    SH8KC6TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 6.5A (Ta) 32mOhm @ 6.5A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V 460pF @ 30V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8MA3TB1

    SH8MA3TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    19,607
    RFQ
    SH8MA3TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 7A (Ta), 6A (Ta) 28mOhm @ 7A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 10V, 10nC @ 10V 300pF @ 15V, 480pF @ 15V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    QH8KA3TCR

    QH8KA3TCR

    MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    5,305
    RFQ
    QH8KA3TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 9A (Ta) 16mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 15.5nC @ 10V 640pF @ 15V 1.5W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8K51TR

    QH8K51TR

    MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    6,550
    RFQ
    QH8K51TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 2A (Ta) 325mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    Total 300 Record«Prev12345678910...30Next»
    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Casa

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Productos

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Teléfono

    KATY Electronic Technology Co., LTD

    Usuarios