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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    QS8K11TCR

    QS8K11TCR

    MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    4,196
    RFQ
    QS8K11TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 30V 3.5A 50mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.3nC @ 5V 180pF @ 10V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    UT6MA3TCR

    UT6MA3TCR

    MOSFET N/P-CH 20V 5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    9,913
    RFQ
    UT6MA3TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active - N and P-Channel - 20V 5A, 5.5A 59mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V 460pF @ 10V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
    SH8KB6TB1

    SH8KB6TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 8.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    11,647
    RFQ
    SH8KB6TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 40V 8.5A (Ta) 19.4mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    QS8K21TR

    QS8K21TR

    MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    7,223
    RFQ
    QS8K21TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 45V 4A 53mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 5.4nC @ 5V 460pF @ 10V 550mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QS8J4TR

    QS8J4TR

    MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    6,249
    RFQ
    QS8J4TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 4A 56mOhm @ 4A, 10V 2.5V @ 1mA 13nC @ 10V 800pF @ 10V 550mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QH8JB5TCR

    QH8JB5TCR

    MOSFET 2P-CH 40V 5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    730
    RFQ
    QH8JB5TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) - 40V 5A (Ta) 41mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 17.2nC @ 10V 920pF @ 20V 1.1W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    QS8M51TR

    QS8M51TR

    MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    33,181
    RFQ
    QS8M51TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 100V 2A, 1.5A 325mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 4.7nC @ 5V 290pF @ 25V, 950pF @ 25V 1.5W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    SH8MC5TB1

    SH8MC5TB1

    MOSFET N/P-CH 60V 6.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    591
    RFQ
    SH8MC5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 60V 6.5A (Ta), 7A (Ta) 32mOhm @ 6.5A, 10V, 33mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 7.6nC @ 10V, 50nC @ 10V 460pF @ 30V, 2630pF @ 30V 2W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    HP8MA2TB1

    HP8MA2TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 18A 8HSOP

    Rohm Semiconductor

    1,676
    RFQ
    HP8MA2TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V 18A (Ta), 15A (Ta) 9.6mOhm @ 18A, 10V, 17.9mOhm @ 15A, 10V 2.5V @ 1mA 22nC @ 10V, 25nC @ 10V 1100pF @ 15V, 1250pF @ 15V 3W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSOP
    SH8K39GZETB

    SH8K39GZETB

    MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,424
    RFQ
    SH8K39GZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 8A (Ta) 21mOhm @ 8A, 10V 2.7V @ 200µA 25nC @ 10V 1240pF @ 30V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
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