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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    US6K1TR

    US6K1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    24,599
    RFQ
    US6K1TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1.5A 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V 80pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    QS6K1FRATR

    QS6K1FRATR

    MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    12,144
    RFQ
    QS6K1FRATR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive 30V 1A (Ta) 238mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.4nC @ 4.5V 77pF @ 10V 900mW (Tc) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    QS6K21TR

    QS6K21TR

    MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    6,795
    RFQ
    QS6K21TR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 45V 1A - 1.5V @ 1mA - - 1.25W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    US6K4TR

    US6K4TR

    MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    6,252
    RFQ
    US6K4TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.5A 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1mA 2.5nC @ 4.5V 110pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    QS6J11TR

    QS6J11TR

    MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    3,099
    RFQ
    QS6J11TR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2A 105mOhm @ 2A, 4.5V 1V @ 1mA 6.5nC @ 4.5V 770pF @ 6V 600mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    QS6J1TR

    QS6J1TR

    MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    5,813
    RFQ
    QS6J1TR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 1.5A 215mOhm @ 1.5A, 4.5V 2V @ 1mA 3nC @ 4.5V 270pF @ 10V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    US6M2TR

    US6M2TR

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

    Rohm Semiconductor

    90,371
    RFQ
    US6M2TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 30V, 20V 1.5A, 1A 240mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.2nC @ 4.5V 80pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount TUMT6
    QS6K21FRATR

    QS6K21FRATR

    MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    8,758
    RFQ
    QS6K21FRATR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 45V 1A (Ta) 420mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.1nC @ 4.5V 95pF @ 10V 950mW (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    QS6K1TR

    QS6K1TR

    MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6

    Rohm Semiconductor

    5,680
    RFQ
    QS6K1TR

    Tabla de datos

    - SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 1A 238mOhm @ 1A, 4.5V 1.5V @ 1mA 2.4nC @ 4.5V 77pF @ 10V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT6 (SC-95)
    UT6K3TCR

    UT6K3TCR

    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A HUML2020L8

    Rohm Semiconductor

    8,732
    RFQ
    UT6K3TCR

    Tabla de datos

    - 6-PowerUDFN Tape & Reel (TR) Active - 2 N-Channel (Dual) - 30V 5.5A 42mOhm @ 5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 4nC @ 4.5V 450pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount HUML2020L8
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