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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    CSD85301Q2

    CSD85301Q2

    MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

    Texas Instruments

    11,255
    RFQ
    CSD85301Q2

    Tabla de datos

    NexFET™ 6-WDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 5V Drive 20V 5A 27mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 250µA 5.4nC @ 4.5V 469pF @ 10V 2.3W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 6-WSON (2x2)
    CSD75207W15

    CSD75207W15

    MOSFET 2P-CH 3.9A 9DSBGA

    Texas Instruments

    4,266
    RFQ
    CSD75207W15

    Tabla de datos

    NexFET™ 9-UFBGA, DSBGA Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Common Source Logic Level Gate - 3.9A 162mOhm @ 1A, 1.8V 1.1V @ 250µA 3.7nC @ 4.5V 595pF @ 10V 700mW -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 9-DSBGA
    CSD87331Q3D

    CSD87331Q3D

    MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON

    Texas Instruments

    5,125
    RFQ
    CSD87331Q3D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) - 30V 15A - 2.1V, 1.2V @ 250µA 3.2nC @ 4.5V 518pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    CSD87588N

    CSD87588N

    MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB

    Texas Instruments

    9,028
    RFQ
    CSD87588N

    Tabla de datos

    NexFET™ 5-XFLGA Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 25A 9.6mOhm @ 15A, 10V 1.9V @ 250µA 4.1nC @ 4.5V 736pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 5-PTAB (3x2.5)
    CSD87503Q3E

    CSD87503Q3E

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8VSON

    Texas Instruments

    2,135
    RFQ
    CSD87503Q3E

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source - 30V 10A (Ta) 13.5mOhm @ 6A, 10V 2.1V @ 250µA 17.4nC @ 4.5V 1020pF @ 15V 15.6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD88539ND

    CSD88539ND

    MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

    Texas Instruments

    3,994
    RFQ
    CSD88539ND

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 60V 15A 28mOhm @ 5A, 10V 3.6V @ 250µA 9.4nC @ 10V 741pF @ 30V 2.1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOIC
    CSD87330Q3D

    CSD87330Q3D

    MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON

    Texas Instruments

    28,092
    RFQ
    CSD87330Q3D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 20A - 2.1V @ 250µA 5.8nC @ 4.5V 900pF @ 15V 6W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
    CSD85312Q3E

    CSD85312Q3E

    MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON

    Texas Instruments

    6,963
    RFQ
    CSD85312Q3E

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Common Source Logic Level Gate, 5V Drive 20V 39A 12.4mOhm @ 10A, 8V 1.4V @ 250µA 15.2nC @ 4.5V 2390pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
    CSD86360Q5D

    CSD86360Q5D

    MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON

    Texas Instruments

    7,270
    RFQ
    CSD86360Q5D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 25V 50A - 2.1V @ 250µA 12.6nC @ 4.5V 2060pF @ 12.5 13W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
    CSD87350Q5D

    CSD87350Q5D

    MOSFET 2N-CH 30V 40A 8LSON

    Texas Instruments

    12,550
    RFQ
    CSD87350Q5D

    Tabla de datos

    NexFET™ 8-PowerLDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 40A 5.9mOhm @ 20A, 8V 2.1V @ 250µA 10.9nC @ 4.5V 1770pF @ 15V 12W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-LSON (5x6)
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