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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    FMM75-01F

    FMM75-01F

    MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC

    IXYS

    15
    RFQ

    -

    HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 75A 25mOhm @ 50A, 10V 4V @ 4mA 180nC @ 10V - - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMM150-0075X2F

    FMM150-0075X2F

    MOSFET 2N-CH 75V 120A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    HiPerFET™, TrenchT2™ ISOPLUSi5-PAK™ Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical - 75V 120A 5.8mOhm @ 100A, 10V 4V @ 250µA 178nC @ 10V 10500pF @ 25V 170W -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    MCB40P1200LB-TUB

    MCB40P1200LB-TUB

    MOSFET 2N-CH 1200V 58A SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB40P1200LB-TUB

    Tabla de datos

    - 9-SMD Power Module Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 58A - - - - - - - - Surface Mount SMPD
    FMP76-01T

    FMP76-01T

    MOSFET N/P-CH 100V 54A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - ISOPLUSi5-PAK™ Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel, Common Drain - 100V 54A (Tc), 62A (Tc) 24mOhm @ 38A, 10V, 11mOhm @ 25A, 10V 4V @ 250µA, 4.5V @ 250µA 197nC @ 10V, 104nC @ 10V 1370pF @ 25V, 5080pF @ 25V 89W, 132W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMP26-02P

    FMP26-02P

    MOSFET N/P-CH 200V 26A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    Polar™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 200V 26A, 17A 60mOhm @ 25A, 10V 5V @ 250µA 70nC @ 10V 2720pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMP36-015P

    FMP36-015P

    MOSFET N/P-CH 150V 36A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    Polar™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 150V 36A, 22A 40mOhm @ 31A, 10V 5.5V @ 250µA 70nC @ 10V 2250pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMM50-025TF

    FMM50-025TF

    MOSFET 2N-CH 250V 30A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 250V 30A 50mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 78nC @ 10V 4000pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    FMM60-02TF

    FMM60-02TF

    MOSFET 2N-CH 200V 33A I4-PAC

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    HiPerFET™ i4-Pac™-5 Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 200V 33A 40mOhm @ 30A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V 3700pF @ 25V 125W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
    GWM100-01X1-SMD

    GWM100-01X1-SMD

    MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - 17-SMD, Gull Wing Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 100V 90A 8.5mOhm @ 80A, 10V 4.5V @ 250µA 90nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
    GWM120-0075P3

    GWM120-0075P3

    MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS

    IXYS

    0
    RFQ
    GWM120-0075P3

    Tabla de datos

    - 17-SMD, Flat Leads Tube Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 118A 5.5mOhm @ 60A, 10V 4V @ 1mA 100nC @ 10V - - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount ISOPLUS-DIL™
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