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    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    VWM270-0075X2

    VWM270-0075X2

    MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK

    IXYS

    0
    RFQ

    -

    - V2-PAK Box Active MOSFET (Metal Oxide) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) - 75V 270A 2.1mOhm @ 100A, 10V 4V @ 500µA 360nC @ 10V - - -40°C ~ 175°C (TJ) - - Chassis Mount V2-PAK
    MKE38P600TLB

    MKE38P600TLB

    MOSFET 600V 50A ISOPLUS-SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MKE38P600TLB

    Tabla de datos

    - 9-SMD Module Bulk Active - - - 600V 50A (Tc) - - - - - - - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
    MKE38P600TLB-TRR

    MKE38P600TLB-TRR

    MOSFET ISOPLUS-SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MKE38P600TLB-TRR

    Tabla de datos

    - 9-SMD Module Bulk Active - - - - - - - - - - - - - Surface Mount ISOPLUS-SMPD™.B
    MCB30P1200LB-TRR

    MCB30P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB30P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    MCB30P1200LB 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB30P1200LB-TUB

    MCB30P1200LB-TUB

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB30P1200LB-TUB

    Tabla de datos

    MCB30P1200LB 9-PowerSMD Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB20P1200LB-TRR

    MCB20P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB20P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    MCB20P1200LB 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB20P1200LB-TUB

    MCB20P1200LB-TUB

    MOSFET 2N-CH 1200V 9SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB20P1200LB-TUB

    Tabla de datos

    MCB20P1200LB 9-PowerSMD Tube Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) - - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
    MCB40P1200LB-TRR

    MCB40P1200LB-TRR

    MOSFET 2N-CH 1200V 58A 9SMPD

    IXYS

    0
    RFQ
    MCB40P1200LB-TRR

    Tabla de datos

    - 9-PowerSMD Tape & Reel (TR) Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 58A - - - - - - - - Surface Mount 9-SMPD-B
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