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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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APT20M11JLLMOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 176A (Tc) | - | 11mOhm @ 88A, 10V | 5V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | - | 10320 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APTM120DA30T1GMOSFET N-CH 1200V 31A SP1 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | SP1 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1200 V | 31A (Tc) | 10V | 360mOhm @ 25A, 10V | 5V @ 2.5mA | 560 nC @ 10 V | ±30V | 14560 pF @ 25 V | - | 657W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
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APTC60SKM24T1GMOSFET N-CH 600V 95A SP1 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
CoolMOS™ | SP1 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 95A (Tc) | 10V | 24mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 300 nC @ 10 V | ±20V | 14400 pF @ 25 V | - | 462W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | SP1 |
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APT30M19JVRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 130A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 975 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT10026L2FLLGMOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1000 V | 38A (Tc) | - | 260mOhm @ 19A, 10V | 5V @ 5mA | 267 nC @ 10 V | - | 7114 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Through Hole | 264 MAX™ [L2] |
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APT20M11JFLLMOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS 7® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 176A (Tc) | - | 11mOhm @ 88A, 10V | 5V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | - | 10320 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT8015JVRMOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 800 V | 44A (Tc) | - | 150mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 285 nC @ 10 V | - | 17650 pF @ 25 V | - | - | - | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT20M11JVFRMOSFET N-CH 200V 175A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 200 V | 175A (Tc) | 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 180 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT60M75JVRMOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 62A (Tc) | 10V | 75mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 1050 nC @ 10 V | ±30V | 19800 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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APT30M19JVFRMOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP Microchip Technology |
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Tabla de datos |
POWER MOS V® | SOT-227-4, miniBLOC | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 130A (Tc) | 10V | 19mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 5mA | 975 nC @ 10 V | ±30V | 21600 pF @ 25 V | - | 700W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Chassis Mount | ISOTOP® |
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