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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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MRH25N12U3RH MOSFET _ U3 Microchip Technology |
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- | 3-SMD, No Lead | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 250 V | 12.4A (Tc) | 12V | 210mOhm @ 7.5A, 12V | 4V @ 1mA | 50 nC @ 12 V | ±20V | 1980 pF @ 25 V | - | 75W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | U3 (SMD-0.5) |
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MSC035SMA070JMOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Box | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
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MSC015SMA070JMOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | SOT-227-4, miniBLOC | Box | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | Chassis Mount | SOT-227 (ISOTOP®) |
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TN2130MF-G-VAOMOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MO Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 300 V | 85mA (Tj) | 4.5V | 25Ohm @ 120mA, 4.5V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 50 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TA) | - | - | Surface Mount | 6-DFN (2x2) |
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TP5335MF-G-VAOMOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | 6-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 350 V | 85mA (Tj) | 4.5V, 10V | 30Ohm @ 200mA, 10V | 2.4V @ 1mA | - | ±20V | 110 pF @ 25 V | - | 360mW (Ta) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Automotive | AEC-Q100 | Surface Mount | 6-DFN (2x2) |
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JANSR2N7584T1RH MOSFET 200V TO-254AA Microchip Technology |
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- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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CD-MSCSM70XM19CTYZBNMGST-MOSFET-SIC-SBD-6HPD Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | - | Bulk | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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APL602LG-1MOSFET LINEAR 600 V 49 A TO-264 Microchip Technology |
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Tabla de datos |
- | TO-264-3, TO-264AA | Tube | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600 V | 49A (Tc) | 12V | 125mOhm @ 24.5A, 12V | 4V @ 2.5mA | - | ±30V | 9000 pF @ 25 V | - | 730W | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-264 (L) |
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APT80GA90B2D40MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX Microchip Technology |
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- | - | Tube | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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MSC035SMA070SCT/RMOSFET SIC 700 V 35 MOHM PSMT Microchip Technology |
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Tabla de datos |
mSiC™ | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 700 V | 71A (Tc) | 18V, 20V | 44mOhm @ 30A, 20V | 5V @ 2mA | 93 nC @ 20 V | +23V, -10V | 1806 pF @ 700 V | - | 276W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-268 |
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