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CoolCAD CC-C2-B15-0322
- Número de pieza.:
- CC-C2-B15-0322
- Fabricante:
- CoolCAD
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-247-4
- Datasheet:
-
CC-C2-B15-0322.pdf
- Descripción:
- SiC Power MOSFET 1200V 12A
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- CoolCAD
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-247-4
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 12A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 15V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 135mOhm @ 10A, 15V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3.2V @ 5mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 40 nC @ 15 V
- Vgs (máx.):
- +15V, -5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1810 pF @ 200 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 100W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-247
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de CC-C2-B15-0322.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
|
| Número de pieza | CC-CL-75-1023 | CC-C2-B15-0322 | CC-CN-23-0123 |
| Fabricante | CoolCAD | CoolCAD | CoolCAD |
| Serie | - | - | - |
| Paquete/Caja | TO-247-3 | TO-247-4 | TO-247-3 |
| Embalaje | Bulk | Bulk | Bulk |
| Estado del producto | Active | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | - |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | 1200 V | - |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 33A | 12A (Ta) | 20A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 15V, 20V | 15V | - |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 70mOhm @ 10A, 20V | 135mOhm @ 10A, 15V | 85mOhm @ 10A, 15V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.9V @ 10mA | 3.2V @ 5mA | 2.4V @ 5mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 90 nC @ 18 V | 40 nC @ 15 V | 16 nC @ 5 V |
| Vgs (máx.) | +20V, -5V | +15V, -5V | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 930 pF @ 1000 V | 1810 pF @ 200 V | 810 pF @ 200 V |
| Característica FET | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 135W | 100W (Tc) | - |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - | - |
| Calificación | - | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-247-3 | TO-247 | TO-247-3 |
Inventario:30
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SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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Nexperia USA Inc.
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