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Diotec Semiconductor DI170N04D2-AQ
- Número de pieza.:
- DI170N04D2-AQ
- Fabricante:
- Diotec Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datasheet:
-
DI170N04D2-AQ.pdf
- Descripción:
- MOSFET D2PAK N 40V 170A
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diotec Semiconductor
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 170A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.5mOhm @ 90A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 162 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 8325 pF @ 20 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 89.2W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263AB (D2PAK)
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DI170N04D2-AQ.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | DI170N04D2-AQ |
| Fabricante | Diotec Semiconductor |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Embalaje | Bulk |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 170A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.5mOhm @ 90A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 162 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 8325 pF @ 20 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 89.2W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | Automotive |
| Calificación | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263AB (D2PAK) |
Inventario:0
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