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Diotec Semiconductor MMFTN138K-AQ
- Número de pieza.:
- MMFTN138K-AQ
- Fabricante:
- Diotec Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Datasheet:
-
MMFTN138K-AQ.pdf
- Descripción:
- MOSFET SOT23 N 60V 0.36A 1.6OHM
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diotec Semiconductor
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 60 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 360mA (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 2.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.6Ohm @ 350mA, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1.6V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 1.3 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 51.3 pF @ 10 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 350mW (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- Automotive
- Calificación:
- AEC-Q101
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SOT-23 (TO-236)
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de MMFTN138K-AQ.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | MMFTN138K-AQ | MMFTN138K |
| Fabricante | Diotec Semiconductor | Diotec Semiconductor |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60 V | 60 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 360mA (Ta) | 360mA (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 2.5V, 10V | 2.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.6Ohm @ 350mA, 10V | 1.6Ohm @ 350mA, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1.6V @ 250µA | 1.6V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 1.3 nC @ 10 V | 1.3 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 51.3 pF @ 10 V | 51.3 pF @ 10 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 350mW (Ta) | 350mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | Automotive | - |
| Calificación | AEC-Q101 | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SOT-23 (TO-236) | SOT-23 (TO-236) |
Inventario:2,660
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