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GeneSiC Semiconductor GA20SICP12-247
- Número de pieza.:
- GA20SICP12-247
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-247-3
- Datasheet:
-
GA20SICP12-247.pdf
- Descripción:
- TRANS SJT 1200V 45A TO247AB
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-247-3
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- -
- Tecnología:
- SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 45A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- -
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 50mOhm @ 20A
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- -
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- -
- Vgs (máx.):
- -
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3091 pF @ 800 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 282W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-247AB
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar GA20SICP12-247?
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de GA20SICP12-247.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | GA20SICP12-247 |
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-247-3 |
| Embalaje | Tube |
| Estado del producto | Obsolete |
| Tipo FET | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 45A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | - |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 50mOhm @ 20A |
| Vgs(th) (máx.) a Id | - |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | - |
| Vgs (máx.) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3091 pF @ 800 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 282W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-247AB |
Inventario:0
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