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Goford Semiconductor G04P10HE
- Número de pieza.:
- G04P10HE
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-261-4, TO-261AA
- Datasheet:
-
G04P10HE.pdf
- Descripción:
- P-100V,-4A,RD(MAX)<200M@-10V,VTH
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Goford Semiconductor
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- TO-261-4, TO-261AA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 100 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 4A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 200mOhm @ 6A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.8V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 25 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1647 pF @ 50 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.2W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SOT-223
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3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de G04P10HE?
El precio y el inventario de G04P10HE fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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Los clientes pueden elegir entre empresas líderes en logística como DHL, UPS, FedEx, TNT y Correo Registrado. También se ofrece seguro de envío.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar G04P10HE?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de G04P10HE solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de G04P10HE.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de G04P10HE?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | G04P10HE | G04P10HE |
| Fabricante | Goford Semiconductor | Goford Semiconductor |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | TO-261-4, TO-261AA | TO-261-4, TO-261AA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | - |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 4A (Tc) | 4A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 10V | 200mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.8V @ 250µA | 2.8V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 25 nC @ 10 V | - |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1647 pF @ 50 V | - |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.2W (Tc) | 1.2W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SOT-223 | SOT-223 |
Inventario:3,858
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