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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Infineon Technologies SI4435DY

    Número de pieza.:
    SI4435DY
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Categoría:
    FET, MOSFET
    Paquete:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Datasheet:
    KATY Electronic Technology Co., LTDSI4435DY.pdf
    Descripción:
    MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
    Cantidad:
    Pago:
    Payment
    Buques:
    Shipping

    Detalles del producto

    • Especificaciones
    • Preguntas Frecuentes
    • Comparación
    • Etiquetas
    Atributos del producto
    Valor del atributo
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Serie:
    HEXFET®
    Paquete/Caja:
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Embalaje:
    Tube
    Estado del producto:
    Obsolete
    Tipo FET:
    P-Channel
    Tecnología:
    MOSFET (Metal Oxide)
    Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
    30 V
    Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
    8.8A (Ta)
    Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
    4.5V, 10V
    Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
    20mOhm @ 8.8A, 10V
    Vgs(th) (máx.) a Id:
    3V @ 250µA
    Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
    60 nC @ 10 V
    Vgs (máx.):
    ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
    2320 pF @ 15 V
    Característica FET:
    -
    Disipación de potencia (máx.):
    2.5W (Ta)
    Temperatura de funcionamiento:
    -55°C ~ 155°C (TJ)
    Grado:
    -
    Calificación:
    -
    Tipo de montaje:
    Surface Mount
    Proveedor Dispositivo Paquete:
    8-SOIC

    1. ¿Cómo pedir SI4435DY en KATY Electronic Technology Co., LTD?

    Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.

    2. ¿Cómo garantiza KATY Electronic Technology Co., LTD que SI4435DY proviene del fabricante original o de agentes autorizados?

    Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto SI4435DY. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido SI4435DY, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.

    3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de SI4435DY?

    El precio y el inventario de SI4435DY fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.

    4. ¿Qué formas de pago se aceptan?

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    6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SI4435DY?

    Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SI4435DY solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:

    (1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.

    (2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI4435DY.

    (3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.

    Dos pasos para devolver productos:

    (1) Informarnos dentro de los 90 días

    (2) Obtener la Autorización de Devolución

    7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SI4435DY?

    Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.

    Imagen SI4435DYTR SI4435DY SI4435DYPBF
    Número de pieza SI4435DYTR SI4435DY SI4435DYPBF
    Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
    Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET®
    Paquete/Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Embalaje Tape & Reel (TR) Tube Tube
    Estado del producto Obsolete Obsolete Discontinued at Digi-Key
    Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel
    Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
    Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V 30 V 30 V
    Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C 8A (Tc) 8.8A (Ta) 8A (Tc)
    Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
    Rds activado (máx.) a Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V 20mOhm @ 8.8A, 10V 20mOhm @ 8A, 10V
    Vgs(th) (máx.) a Id 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
    Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
    Vgs (máx.) ±20V ±20V ±20V
    Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2320 pF @ 15 V 2320 pF @ 15 V 2320 pF @ 15 V
    Característica FET - - -
    Disipación de potencia (máx.) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
    Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
    Grado - - -
    Calificación - - -
    Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount
    Proveedor Dispositivo Paquete 8-SO 8-SOIC 8-SO
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    BSZ180P03NS3EGATMA1
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    Infineon Technologies

    SIRA14DP-T1-GE3
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    Vishay Siliconix

    AO4419
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    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    SISA14BDN-T1-GE3
    SISA14BDN-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    PSMN9R5-30YLC,115
    PSMN9R5-30YLC,115

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    BUK9Y21-40E,115
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