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Microchip Technology MSC025SMA120SCT/R
- Número de pieza.:
- MSC025SMA120SCT/R
- Fabricante:
- Microchip Technology
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Datasheet:
-
MSC025SMA120SCT/R.pdf
- Descripción:
- MOSFET SIC 1200 V 25 MOHM PSMT
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Microchip Technology
- Serie:
- mSiC™
- Paquete/Caja:
- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 108A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 18V, 20V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 31mOhm @ 40A, 20V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3V @ 3mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 232 nC @ 20 V
- Vgs (máx.):
- +23V, -10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 3633 pF @ 1000 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 524W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-268
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Actualmente, KATY Electronic Technology Co., LTD solo proporciona procesamiento de pedidos entre pares. Al enviar una solicitud de cotización (RFQ), nuestro agente profesional se pondrá en contacto con usted con precios competitivos en el mercado global, y le guiará para finalizar el pedido si acepta nuestras ofertas.
2. ¿Cómo garantiza KATY Electronic Technology Co., LTD que MSC025SMA120SCT/R proviene del fabricante original o de agentes autorizados?
Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto MSC025SMA120SCT/R. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido MSC025SMA120SCT/R, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.
3. ¿Son precisos el precio y el inventario mostrados de MSC025SMA120SCT/R?
El precio y el inventario de MSC025SMA120SCT/R fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar MSC025SMA120SCT/R?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de MSC025SMA120SCT/R solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de MSC025SMA120SCT/R.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de MSC025SMA120SCT/R?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | MSC025SMA120SCT/R |
| Fabricante | Microchip Technology |
| Serie | mSiC™ |
| Paquete/Caja | TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 108A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 18V, 20V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 31mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3V @ 3mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 232 nC @ 20 V |
| Vgs (máx.) | +23V, -10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3633 pF @ 1000 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 524W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-268 |
Inventario:0
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