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Nexperia USA Inc. PSMN2R8-40BS,118
- Número de pieza.:
- PSMN2R8-40BS,118
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datasheet:
-
PSMN2R8-40BS,118.pdf
- Descripción:
- NEXPERIA PSMN2R8-40BS - 100A, 40
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Nexperia USA Inc.
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Bulk
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 100A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 2.9mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 71 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 4491 pF @ 20 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 211W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- D2PAK
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(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | PSMN2R8-25MLC,115 | PSMN2R8-40YSDX | PSMN2R8-40YSBX | PSMN2R8-80SSFJ | PSMN2R8-40BS,118 |
| Fabricante | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - | TrenchMOS™ | - | - | - |
| Paquete/Caja | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | SC-100, SOT-669 | SC-100, SOT-669 | SOT-1235 | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| Estado del producto | Active | Active | Active | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | 40 V | 40 V | 80 V | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 70A (Tc) | 160A (Tc) | 160A (Tc) | 190A (Ta) | 100A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 7V, 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V | 2.8mOhm @ 25A, 10V | 2.8mOhm @ 25A, 10V | 2.8mOhm @ 25A, 10V | 2.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.15V @ 1mA | 3.6V @ 1mA | 3.6V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 37.7 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 59 nC @ 10 V | 143 nC @ 10 V | 71 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2432 pF @ 12.5 V | 4507 pF @ 20 V | 4563 pF @ 20 V | 10088 pF @ 40 V | 4491 pF @ 20 V |
| Característica FET | - | Schottky Diode (Body) | Schottky Diode (Body) | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 88W (Tc) | 147W (Tc) | 147W (Tc) | 341W (Ta) | 211W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - | - | - | - |
| Calificación | - | - | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | LFPAK33 | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK56, Power-SO8 | LFPAK88 (SOT1235) | D2PAK |
Inventario:2,125
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BSZ180P03NS3EGATMA1
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SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
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SISA14BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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PSMN9R5-30YLC,115
Nexperia USA Inc.
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BUK9Y21-40E,115
Nexperia USA Inc.
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