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Renesas Electronics Corporation RJK2009DPM-00#T0
- Número de pieza.:
- RJK2009DPM-00#T0
- Fabricante:
- Renesas Electronics Corporation
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-220-3 Full Pack
- Datasheet:
-
RJK2009DPM-00#T0.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Renesas Electronics Corporation
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-220-3 Full Pack
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 200 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 40A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 36mOhm @ 20A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- -
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 72 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 2900 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 60W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-3PFM
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de RJK2009DPM-00#T0 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | RJK2009DPM-00#T0 |
| Fabricante | Renesas Electronics Corporation |
| Serie | - |
| Paquete/Caja | TO-220-3 Full Pack |
| Embalaje | Tube |
| Estado del producto | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 200 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 40A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 36mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | - |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 60W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-3PFM |
Inventario:0
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