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Vishay Siliconix SI7413DN-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SI7413DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- PowerPAK® 1212-8
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- PowerPAK® 1212-8
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 8.4A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 1.8V, 4.5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 15mOhm @ 13.2A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 400µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 51 nC @ 4.5 V
- Vgs (máx.):
- ±8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.5W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- PowerPAK® 1212-8
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| Imagen |  |
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| Número de pieza | SI7413DN-T1-E3 | SI7413DN-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | 20 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 8.4A (Ta) | 8.4A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 1.8V, 4.5V | 1.8V, 4.5V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 15mOhm @ 13.2A, 4.5V | 15mOhm @ 13.2A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 400µA | 1V @ 400µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 51 nC @ 4.5 V | 51 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±8V | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | - |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.5W (Ta) | 1.5W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | PowerPAK® 1212-8 | PowerPAK® 1212-8 |
Inventario:0
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