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Vishay Siliconix SI8415DB-T1-E1
- Número de pieza.:
- SI8415DB-T1-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- 4-XFBGA, CSPBGA
- Descripción:
- MOSFET P-CH 12V 5.3A 4MICROFOOT
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- 4-XFBGA, CSPBGA
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- P-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 12 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 5.3A (Ta)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 1.8V, 4.5V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 37mOhm @ 1A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 30 nC @ 4.5 V
- Vgs (máx.):
- ±8V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 1.47W (Ta)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 4-Microfoot
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El precio y el inventario de SI8415DB-T1-E1 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar SI8415DB-T1-E1?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SI8415DB-T1-E1 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI8415DB-T1-E1.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | SI8415DB-T1-E1 |
| Fabricante | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 5.3A (Ta) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 1.8V, 4.5V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 37mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Vgs (máx.) | ±8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 1.47W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 4-Microfoot |
Inventario:0
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