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Vishay Siliconix SIHA18N60E-E3
- Número de pieza.:
- SIHA18N60E-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-220-3 Full Pack
- Datasheet:
-
SIHA18N60E-E3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- E
- Paquete/Caja:
- TO-220-3 Full Pack
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 600 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 18A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 202mOhm @ 9A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 4V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 92 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±30V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 1640 pF @ 100 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 34W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-220 Full Pack
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SIHA18N60E-E3.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
 |
| Número de pieza | SIHA18N60E-GE3 | SIHA18N60E-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | E | E |
| Paquete/Caja | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tube |
| Estado del producto | Active | Active |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 600 V | 600 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 18A (Tc) | 18A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 202mOhm @ 9A, 10V | 202mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 92 nC @ 10 V | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±30V | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1640 pF @ 100 V | 1640 pF @ 100 V |
| Característica FET | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 34W (Tc) | 34W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Through Hole | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-220 Full Pack | TO-220 Full Pack |
Inventario:0
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