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Vishay Siliconix SQM120N04-1M7L_GE3
- Número de pieza.:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Datasheet:
-
SQM120N04-1M7L_GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 120A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 4.5V, 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.7mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 285 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 14606 pF @ 20 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 375W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263
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(2) Obtener la Autorización de Devolución
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| Imagen |  |
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| Número de pieza | SQM120N04-1M7L_GE3 | SQM120N04-1M4L_GE3 | SQM120N04-1M9_GE3 | SQM120N04-1M7_GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | - | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | - | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Obsolete | Active | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | - | 40 V | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) | 120A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 4.5V, 10V | - | 10V | 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.7mOhm @ 30A, 10V | - | 1.9mOhm @ 30A, 10V | 1.7mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 250µA | - | 3.5V @ 250µA | 3.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 285 nC @ 10 V | - | 270 nC @ 10 V | 310 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | - | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 14606 pF @ 20 V | - | 8790 pF @ 25 V | 17350 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 375W (Tc) | - | 300W (Tc) | 300W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - | - | Automotive |
| Calificación | - | - | - | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | - | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263 | - | TO-263 (D2PAK) | TO-263 (D2PAK) |
Inventario:2,178
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