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Vishay Siliconix SQM200N04-1M8_GE3
- Número de pieza.:
- SQM200N04-1M8_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- FET, MOSFET
- Paquete:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Datasheet:
-
SQM200N04-1M8_GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tipo FET:
- N-Channel
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 40 V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 200A (Tc)
- Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado):
- 10V
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.8mOhm @ 30A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 3.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 310 nC @ 10 V
- Vgs (máx.):
- ±20V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 17350 pF @ 25 V
- Característica FET:
- -
- Disipación de potencia (máx.):
- 375W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TO-263-7
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | SQM200N04-1M8_GE3 | SQM200N04-1M7L_GE3 | SQM200N04-1M1L_GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | - | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 40 V | 40 V | 40 V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 200A (Tc) | 200A (Tc) | 200A (Tc) |
| Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.8mOhm @ 30A, 10V | 1.7mOhm @ 30A, 10V | 1.1mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 3.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 310 nC @ 10 V | 291 nC @ 10 V | 413 nC @ 10 V |
| Vgs (máx.) | ±20V | ±20V | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 17350 pF @ 25 V | 11168 pF @ 20 V | 20655 pF @ 25 V |
| Característica FET | - | - | - |
| Disipación de potencia (máx.) | 375W (Tc) | 375W (Tc) | 375W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - | - | - |
| Calificación | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TO-263-7 | TO-263-7 | TO-263-7 |
Inventario:0
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