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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    IPG20N04S4L08ATMA1

    IPG20N04S4L08ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    34,470
    RFQ
    IPG20N04S4L08ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A 8.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 22µA 39nC @ 10V 3050pF @ 25V 54W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IAUC60N04S6L045HATMA1

    IAUC60N04S6L045HATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON

    Infineon Technologies

    17,819
    RFQ
    IAUC60N04S6L045HATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 40V 60A (Tj) 4.5mOhm @ 30A, 10V 2V @ 13µA 19nC @ 10V 1136pF @ 25V 52W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-57
    IPG20N10S4L35ATMA1

    IPG20N10S4L35ATMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    35,255
    RFQ
    IPG20N10S4L35ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 100V 20A 35mOhm @ 17A, 10V 2.1V @ 16µA 17.4nC @ 10V 1105pF @ 25V 43W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    BSZ215CHXTMA1

    BSZ215CHXTMA1

    MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON

    Infineon Technologies

    5,476
    RFQ
    BSZ215CHXTMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 5.1A, 3.2A 55mOhm @ 5.1A, 4.5V 1.4V @ 110µA 2.8nC @ 4.5V 419pF @ 10V 2.5W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TSDSON-8
    IRF7324TRPBF

    IRF7324TRPBF

    MOSFET 2P-CH 20V 9A 8SO

    Infineon Technologies

    8,949
    RFQ
    IRF7324TRPBF

    Tabla de datos

    HEXFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 9A 18mOhm @ 9A, 4.5V 1V @ 250µA 63nC @ 5V 2940pF @ 15V 2W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SO
    IPG20N04S4L07ATMA1

    IPG20N04S4L07ATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    2,651
    RFQ
    IPG20N04S4L07ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A 7.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 30µA 50nC @ 10V 3980pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    BSC0921NDIATMA1

    BSC0921NDIATMA1

    MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8

    Infineon Technologies

    14,253
    RFQ
    BSC0921NDIATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 17A, 31A 5mOhm @ 20A, 10V 2V @ 250µA 8.9nC @ 4.5V 1025pF @ 15V 1W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount PG-TISON-8
    BSC072N04LDATMA1

    BSC072N04LDATMA1

    MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    637
    RFQ
    BSC072N04LDATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ T2 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 40V 20A (Tc) 7.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 30µA 52nC @ 10V 3990pF @ 20V 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ) - - Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IPG20N06S4L11ATMA1

    IPG20N06S4L11ATMA1

    MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

    Infineon Technologies

    3,072
    RFQ
    IPG20N06S4L11ATMA1

    Tabla de datos

    OptiMOS™ 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 20A 11.2mOhm @ 17A, 10V 2.2V @ 28µA 53nC @ 10V 4020pF @ 25V 65W -55°C ~ 175°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount PG-TDSON-8-4
    IRFI4212H-117PXKMA1

    IRFI4212H-117PXKMA1

    MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5

    Infineon Technologies

    822
    RFQ
    IRFI4212H-117PXKMA1

    Tabla de datos

    - TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Tube Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 100V 11A (Tc) 72.5mOhm @ 6.6A, 10V 5V @ 250µA 18nC @ 10V 490pF @ 50V 18W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-220-5 Full-Pak
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