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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SP8K1FRATB

    SP8K1FRATB

    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,467
    RFQ
    SP8K1FRATB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 5A (Ta) 51mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 5.5nC @ 5V 230pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    SP8J2TB

    SP8J2TB

    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC

    Rohm Semiconductor

    1,337
    RFQ
    SP8J2TB

    Tabla de datos

    * - Cut Tape (CT) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    SH8K10SGZETB

    SH8K10SGZETB

    MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    2,475
    RFQ
    SH8K10SGZETB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 7A (Ta), 8.5A (Ta) 24mOhm @ 7A, 10V, 19.6mOhm @ 8.5A, 10V 2.5V @ 1mA 16.8nC @ 5V, 17.8nC @ 5V 660pF @ 10V, 830pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8M10FRATB

    SP8M10FRATB

    MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,116
    RFQ
    SP8M10FRATB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 30V 7A (Ta), 4.5A (Ta) 25mOhm @ 7A, 10V, 56mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 8.4nC @ 5V, 8.5nC @ 5V 600pF @ 10V, 850pF @ 10V 2W (Ta) 150°C Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    SP8K3FRATB

    SP8K3FRATB

    MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    1,051
    RFQ
    SP8K3FRATB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 30V 7A (Ta) 24mOhm @ 7A, 10V 2.5V @ 1mA 11.8nC @ 5V 600pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C (TJ) Automotive AEC-Q101 Surface Mount 8-SOP
    SH8M5TB1

    SH8M5TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    153
    RFQ
    SH8M5TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 6A, 7A 30mOhm @ 6A, 10V 2.5V @ 1mA 7.2nC @ 5V 520pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    BSM080D12P2C008

    BSM080D12P2C008

    MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE

    Rohm Semiconductor

    25
    RFQ
    BSM080D12P2C008

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Dual) - 1200V (1.2kV) 80A (Tc) - 4V @ 13.2mA - 800pF @ 10V 600W 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM250D17P2E004

    BSM250D17P2E004

    MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE

    Rohm Semiconductor

    14
    RFQ
    BSM250D17P2E004

    Tabla de datos

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1700V (1.7kV) 250A (Tc) - 4V @ 66mA - 30000pF @ 10V 1800W (Tc) -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    BSM300D12P2E001

    BSM300D12P2E001

    MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE

    Rohm Semiconductor

    11
    RFQ
    BSM300D12P2E001

    Tabla de datos

    - Module Tray Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel (Half Bridge) - 1200V (1.2kV) 300A (Tc) - 4V @ 68mA - 35000pF @ 10V 1875W -40°C ~ 150°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    QH8JA1TCR

    QH8JA1TCR

    MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    59
    RFQ
    QH8JA1TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active - 2 P-Channel (Dual) - 20V 5A 38mOhm @ 5A, 4.5V 1.2V @ 1mA 10.2nC @ 4.5V 720pF @ 10V 1.5W -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
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