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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    HP8KB5TB1

    HP8KB5TB1

    40V 16.5A, DUAL NCH+NCH, HSOP8,

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    HP8KC5TB1

    HP8KC5TB1

    60V 12A, DUAL NCH+NCH, HSOP8, PO

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    * - Tape & Reel (TR) Active - - - - - - - - - - - - - - -
    HT8KB6TB1

    HT8KB6TB1

    MOSFET 2N-CH 40V 8A 8HSMT

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    HT8KB6TB1

    Tabla de datos

    - 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel - 40V 8A (Ta), 15A (Tc) 17.2mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 10.6nC @ 10V 530pF @ 20V 2W (Ta), 14W (Tc) 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
    BSM300D12P4G101

    BSM300D12P4G101

    MOSFET 2N-CH 1200V 291A MODULE

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    BSM300D12P4G101

    Tabla de datos

    - Module Box Active Silicon Carbide (SiC) 2 N-Channel - 1200V (1.2kV) 291A (Tc) - 4.8V @ 145.6mA - 30000pF @ 10V 925W (Tc) 175°C (TJ) - - Chassis Mount Module
    SH8M11TB1

    SH8M11TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 3.5A 98mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1mA 1.9nC @ 5V 85pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    TT8M2TR

    TT8M2TR

    MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A 8TSST

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    TT8M2TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V, 20V 2.5A 90mOhm @ 2.5A, 4.5V 1.5V @ 1mA 3.2nC @ 4.5V 180pF @ 10V 1.25W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSST
    VT6M1T2CR

    VT6M1T2CR

    MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    VT6M1T2CR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 1.2V Drive 20V 100mA 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 100µA - 7.1pF @ 10V 120mW 150°C (TJ) - - Surface Mount VMT6
    MP6M12TCR

    MP6M12TCR

    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    MP6M12TCR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5A 42mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount MPT6
    VT6J1T2CR

    VT6J1T2CR

    MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    VT6J1T2CR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.2V Drive 20V 100mA 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1V @ 100µA - 15pF @ 10V 120mW 150°C (TJ) - - Surface Mount VMT6
    MP6K31TR

    MP6K31TR

    MOSFET 2N-CH 60V 2A MPT6

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    MP6K31TR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 60V 2A 290mOhm @ 2A, 10V 2.5V @ 1mA 2nC @ 5V 110pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount MPT6
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