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    KATY Electronic Technology Co., LTD KATY Electronic Technology Co., LTD

    Matrices de FET, MOSFET

    制造商 Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete





























































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































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    结果:
    Foto N.º de Parte del Fabricante Disponibilidad Precio Cantidad Hoja de Datos Serie Paquete/Caja Embalaje Estado del producto Tecnología Configuración Característica FET Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C Rds activado (máx.) a Id, Vgs Vgs(th) (máx.) a Id Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds Potencia: máx. Temperatura de funcionamiento Grado Calificación Tipo de montaje Proveedor Dispositivo Paquete
    SH8K12TB1

    SH8K12TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    SH8K12TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 5A 42mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M12TB1

    SH8M12TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5A, 4.5A 42mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 4nC @ 5V 250pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SP8M6FU6TB

    SP8M6FU6TB

    MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    SP8M6FU6TB

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 5A, 3.5A 51mOhm @ 5A, 10V 2.5V @ 1mA 3.9nC @ 5V 230pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    MP6M14TCR

    MP6M14TCR

    MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    MP6M14TCR

    Tabla de datos

    - 6-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate, 4V Drive 30V 8A, 6A 25mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 1mA 7.3nC @ 5V 470pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount MPT6
    SH8K22TB1

    SH8K22TB1

    MOSFET 2N-CH 45V 4.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) - 45V 4.5A (Ta) 46mOhm @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1mA 9.6nC @ 5V 550pF @ 10V 1.4W (Ta) 150°C - - Surface Mount 8-SOP
    SH8K15TB1

    SH8K15TB1

    MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 30V 9A 21mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 630pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M70TB1

    SH8M70TB1

    MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    SH8M70TB1

    Tabla de datos

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel - 250V 3A, 2.5A 1.63Ohm @ 1.5A, 10V 4V @ 1mA 5.2nC @ 10V 180pF @ 25V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    SH8M14TB1

    SH8M14TB1

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOP

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ

    -

    - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Not For New Designs MOSFET (Metal Oxide) N and P-Channel Logic Level Gate 30V 9A, 7A 21mOhm @ 9A, 10V 2.5V @ 1mA 8.5nC @ 5V 630pF @ 10V 2W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-SOP
    QS8J11TCR

    QS8J11TCR

    MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    QS8J11TCR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Active MOSFET (Metal Oxide) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.5V Drive 12V 3.5A 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 1V @ 1mA 22nC @ 4.5V 2600pF @ 6V 550mW 150°C (TJ) - - Surface Mount TSMT8
    TT8K1TR

    TT8K1TR

    MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8TSST

    Rohm Semiconductor

    0
    RFQ
    TT8K1TR

    Tabla de datos

    - 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Last Time Buy MOSFET (Metal Oxide) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.5V Drive 20V 2.5A 72mOhm @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1mA 3.6nC @ 4.5V 260pF @ 10V 1W 150°C (TJ) - - Surface Mount 8-TSST
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