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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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结果:
| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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G2R1000MT17JSIC MOSFET N-CH 3A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
10,528 | - |
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Tabla de datos |
G2R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 3A (Tc) | 20V | 1.2Ohm @ 2A, 20V | 4V @ 2mA | - | +20V, -10V | 139 pF @ 1000 V | - | 54W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G3R160MT12JSIC MOSFET N-CH 19A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
415 | - |
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Tabla de datos |
G3R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 19A (Tc) | 15V | 208mOhm @ 10A, 15V | 2.7V @ 5mA (Typ) | 23 nC @ 15 V | +20V, -10V | 724 pF @ 800 V | - | 128W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G3R450MT17JSIC MOSFET N-CH 9A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
5,550 | - |
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Tabla de datos |
G3R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1700 V | 9A (Tc) | 15V | 585mOhm @ 4A, 15V | 2.7V @ 2mA | 18 nC @ 15 V | ±15V | 454 pF @ 1000 V | - | 91W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G3R60MT07J750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor |
198 | - |
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Tabla de datos |
G3R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | - | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | - | - | - | - | - | +20V, -10V | - | - | - | - | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G3R40MT12JSIC MOSFET N-CH 75A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
421 | - |
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Tabla de datos |
G3R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 1200 V | 75A (Tc) | 15V | 48mOhm @ 35A, 15V | 2.7V @ 18mA (Typ) | 106 nC @ 15 V | ±15V | 2929 pF @ 800 V | - | 374W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G2R1000MT33JSIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 GeneSiC Semiconductor |
1,853 | - |
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Tabla de datos |
G2R™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 4A (Tc) | 20V | 1.2Ohm @ 2A, 20V | 3.5V @ 2mA | 21 nC @ 20 V | +20V, -5V | 238 pF @ 1000 V | - | 74W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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G2R50MT33K3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
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Tabla de datos |
G2R™ | TO-247-4 | Tube | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 3300 V | 63A (Tc) | 20V | 50mOhm @ 40A, 20V | 3.5V @ 10mA (Typ) | 340 nC @ 20 V | +25V, -10V | 7301 pF @ 1000 V | - | 536W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Through Hole | TO-247-4 |
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G3F320MT12J-TR1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Active | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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G3F60MT06L-TR650V 55M TO-LL G3F SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
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- | 8-PowerSFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) | 650 V | 48A (Tc) | 15V, 18V | 75mOhm @ 15A, 18V | 4.3V @ 7mA | 45 nC @ 18 V | +22V, -10V | 1322 pF @ 400 V | - | 185W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Surface Mount | TOLL |
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G3R60MT07J-TR650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET GeneSiC Semiconductor |
0 | - |
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Tabla de datos |
G3R™, LoRing™ | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | SiCFET (Silicon Carbide) | 750 V | 44A (Tc) | 15V | - | - | - | - | - | - | 182W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Surface Mount | TO-263-7 |
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