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Diodes Incorporated DMG6602SVT-7
- Número de pieza.:
- DMG6602SVT-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Datasheet:
-
DMG6602SVT-7.pdf
- Descripción:
- MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Not For New Designs
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- N and P-Channel
- Característica FET:
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 30V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 3.4A, 2.8A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 60mOhm @ 3.1A, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.3V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 13nC @ 10V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 400pF @ 15V
- Potencia: máx.:
- 840mW
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- TSOT-26
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Contamos con un equipo profesional y experimentado de control de calidad que verifica y prueba estrictamente el producto DMG6602SVT-7. Todos los proveedores deben pasar nuestras revisiones de calificación antes de poder publicar sus productos, incluido DMG6602SVT-7, en KATY Electronic Technology Co., LTD; prestamos más atención a los canales y la calidad de los productos que cualquier otro cliente. Implementamos auditorías estrictas a los proveedores, por lo que puede comprar con confianza.
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El precio y el inventario de DMG6602SVT-7 fluctúan frecuentemente y no siempre se actualizan en tiempo real, aunque se actualizan periódicamente cada 24 horas. Además, nuestras cotizaciones suelen expirar después de 5 días.
4. ¿Qué formas de pago se aceptan?
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6. ¿Cuál es el proceso para devolver o reemplazar DMG6602SVT-7?
Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de DMG6602SVT-7 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de DMG6602SVT-7.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de DMG6602SVT-7?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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|
| Número de pieza | DMG6602SVT-7 | DMG6602SVTQ-7 | DMG6602SVTX-7 |
| Fabricante | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| Serie | - | - | - |
| Paquete/Caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Not For New Designs | Active | Active |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | N and P-Channel | N and P-Channel | N and P-Channel Complementary |
| Característica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive | - | - |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30V | 30V | 30V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 3.4A, 2.8A | 3.4A, 2.8A | 3.4A (Ta), 2.8A (Ta) |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V | 60mOhm @ 3.1A, 10V | 60mOhm @ 3.1A, 10V, 95mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 13nC @ 10V | 13nC @ 10V | 13nC @ 10V, 9nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 400pF @ 15V | 400pF @ 15V | 400pF @ 15V, 420pF @ 15V |
| Potencia: máx. | 840mW | 840mW | 840mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - | Automotive |
| Calificación | - | - | AEC-Q101 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | TSOT-26 | TSOT-26 | TSOT-26 |
Inventario:95,597
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SSM6N7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DW-7-F
Diodes Incorporated
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SSM6L56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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2N7002DWH6327XTSA1
Infineon Technologies
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2N7002BKS,115
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