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STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
- Número de pieza.:
- M1P45M12W2-1LA
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm)
- Datasheet:
-
M1P45M12W2-1LA.pdf
- Descripción:
- MOSFET 6N-CH 1200V ACEPACK DMT
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Serie:
- ECOPACK®
- Paquete/Caja:
- 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm)
- Embalaje:
- Tube
- Estado del producto:
- Active
- Tecnología:
- Silicon Carbide (SiC)
- Configuración:
- 6 N-Channel (Phase Leg)
- Característica FET:
- Silicon Carbide (SiC)
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 1200V (1.2kV)
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 30A (Tc)
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 60.5mOhm @ 20A, 18V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 5V @ 1mA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 100nC @ 18V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 2086pF @ 800V
- Potencia: máx.:
- -
- Temperatura de funcionamiento:
- -40°C ~ 175°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Through Hole
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- ACEPACK DMT-32
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(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de M1P45M12W2-1LA.
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Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
| Número de pieza | M1P45M12W2-1LA |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Serie | ECOPACK® |
| Paquete/Caja | 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) |
| Embalaje | Tube |
| Estado del producto | Active |
| Tecnología | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuración | 6 N-Channel (Phase Leg) |
| Característica FET | Silicon Carbide (SiC) |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 30A (Tc) |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 60.5mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 5V @ 1mA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 100nC @ 18V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2086pF @ 800V |
| Potencia: máx. | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Grado | - |
| Calificación | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Proveedor Dispositivo Paquete | ACEPACK DMT-32 |
Inventario:0
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