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Vishay Siliconix SI1026X-T1-E3
- Número de pieza.:
- SI1026X-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- SOT-563, SOT-666
- Datasheet:
-
SI1026X-T1-E3.pdf
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- SOT-563, SOT-666
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Obsolete
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 60V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 305mA
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 1.4Ohm @ 500mA, 10V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 2.5V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 0.6nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- 30pF @ 25V
- Potencia: máx.:
- 250mW
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- SC-89 (SOT-563F)
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Todos los productos pasan por una Inspección Previa al Envío (PSI), seleccionada aleatoriamente entre los lotes del pedido para una inspección sistemática antes del envío. Aceptamos devoluciones o reemplazos de SI1026X-T1-E3 solo si se cumplen todas las siguientes condiciones:
(1) Deficiencias en cantidad, entrega de artículos erróneos o defectos externos evidentes (roturas, óxido, etc.), y que reconozcamos dichos problemas.
(2) Se nos informa del defecto mencionado dentro de los 90 días posteriores a la entrega de SI1026X-T1-E3.
(3) El número de parte no se ha usado y está en su empaque original sin abrir.
Dos pasos para devolver productos:
(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
7. ¿Cómo contactarnos para obtener soporte técnico, como el diagrama de pines o la hoja de datos de SI1026X-T1-E3?
Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | SI1026X-T1-GE3 | SI1026X-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | - | - |
| Paquete/Caja | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Obsolete |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | 60V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 305mA | 305mA |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 0.6nC @ 4.5V | 0.6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 30pF @ 25V | 30pF @ 25V |
| Potencia: máx. | 250mW | 250mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | SC-89 (SOT-563F) | SC-89 (SOT-563F) |
Inventario:0
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