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Vishay Siliconix SI4931DY-T1-GE3
- Número de pieza.:
- SI4931DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Datasheet:
-
SI4931DY-T1-GE3.pdf
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- TrenchFET®
- Paquete/Caja:
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Active
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 P-Channel (Dual)
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 12V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 6.7A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 18mOhm @ 8.9A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 350µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 52nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Potencia: máx.:
- 1.1W
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-SOIC
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(1) Informarnos dentro de los 90 días
(2) Obtener la Autorización de Devolución
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
|
| Número de pieza | SI4931DY-T1-GE3 | SI4931DY-T1-E3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® | TrenchFET® |
| Paquete/Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Active | Obsolete |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12V | 12V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 6.7A | 6.7A |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V | 18mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 350µA | 1V @ 350µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 52nC @ 4.5V | 52nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | - |
| Potencia: máx. | 1.1W | 1.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - |
| Calificación | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-SOIC | 8-SOIC |
Inventario:11,587
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