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Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3
- Número de pieza.:
- SI6926ADQ-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Categoría:
- Matrices de FET, MOSFET
- Paquete:
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Datasheet:
-
SI6926ADQ-T1-E3.pdf
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
- Cantidad:
- Pago:
- Buques:
Detalles del producto
- Especificaciones
- Preguntas Frecuentes
- Comparación
- Etiquetas
- Atributos del producto
- Valor del atributo
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Serie:
- -
- Paquete/Caja:
- 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
- Embalaje:
- Tape & Reel (TR)
- Estado del producto:
- Last Time Buy
- Tecnología:
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuración:
- 2 N-Channel (Dual)
- Característica FET:
- Logic Level Gate
- Voltaje de drenaje a fuente (Vdss):
- 20V
- Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C:
- 4.1A
- Rds activado (máx.) a Id, Vgs:
- 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
- Vgs(th) (máx.) a Id:
- 1V @ 250µA
- Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs:
- 10.5nC @ 4.5V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds:
- -
- Potencia: máx.:
- 830mW
- Temperatura de funcionamiento:
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grado:
- -
- Calificación:
- -
- Tipo de montaje:
- Surface Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete:
- 8-TSSOP
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Si necesita cualquier servicio postventa, no dude en contactarnos.
| Imagen |  |
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| Número de pieza | SI6926ADQ-T1-E3 | SI6926ADQ-T1-BE3 | SI6926ADQ-T1-GE3 |
| Fabricante | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Serie | - | - | - |
| Paquete/Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Embalaje | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| Estado del producto | Last Time Buy | Obsolete | Last Time Buy |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Configuración | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | 20V | 20V |
| Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | 4.1A | 4.1A (Ta) | 4.1A |
| Rds activado (máx.) a Id, Vgs | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V | 30mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs(th) (máx.) a Id | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 10.5nC @ 4.5V | 10.5nC @ 4.5V | 10.5nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | - | - |
| Potencia: máx. | 830mW | 830mW (Ta) | 830mW |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Grado | - | - | - |
| Calificación | - | - | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Proveedor Dispositivo Paquete | 8-TSSOP | 8-TSSOP | 8-TSSOP |
Inventario:28,266
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