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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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64-4095PBFMOSFET N-CH SMD D2PAK Infineon Technologies |
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- | - | Tube | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUIRF2804L-313MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Infineon Technologies |
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HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 195A (Tc) | 10V | 2.3mOhm @ 75A, 10V | 4V @ 250µA | 240 nC @ 10 V | ±20V | 6450 pF @ 25 V | - | 300W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
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AUIRFSL4010-306MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
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HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
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AUIRFSL4010-313MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Infineon Technologies |
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HEXFET® | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA | Tube | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 180A (Tc) | 10V | 4.7mOhm @ 106A, 10V | 4V @ 250µA | 215 nC @ 10 V | ±20V | 9575 pF @ 50 V | - | 375W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Automotive | AEC-Q101 | Through Hole | TO-262 |
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AUXNS0306RTRLMOSFET N-CH DPAK Infineon Technologies |
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- | - | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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AUXNSF2804STRL7PMOSFET N-CH Infineon Technologies |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IGT40R070D1ATMA1GAN HV Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Discontinued at Digi-Key | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 400 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 382 pF @ 320 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
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IGOT60R070D1E8220AUMA1GAN HV Infineon Technologies |
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CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-87 |
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IGT60R070D1E8220ATMA1GAN HV Infineon Technologies |
0 | - |
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CoolGaN™ | 8-PowerSFN | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HSOF-8-3 |
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IGO60R070D1E8220AUMA1GAN HV Infineon Technologies |
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CoolGaN™ | 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width) | Bulk | Obsolete | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 600 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | - | -10V | 380 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-DSO-20-85 |
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