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FET, MOSFET
| 制造商 | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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| Foto | N.º de Parte del Fabricante | Disponibilidad | Precio | Cantidad | Hoja de Datos | Serie | Paquete/Caja | Embalaje | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C | Voltaje de excitación (máx. Rds activado, mín. Rds activado) | Rds activado (máx.) a Id, Vgs | Vgs(th) (máx.) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica FET | Disipación de potencia (máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Proveedor Dispositivo Paquete |
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IIPC26S3N04X2MA1MOSFET Infineon Technologies |
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IIPC63S4N08X2SA1MOSFET Infineon Technologies |
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- | - | Bulk | Obsolete | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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IPC60R099P7X7SA1MOSFET N-CH BARE DIE Infineon Technologies |
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* | - | Bulk | Discontinued at Digi-Key | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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ISK018NE1LM7ATSA1ISK018NE1LM7AULA1 MOSFET Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 7 | 6-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 15 V | 30A (Ta), 129A (Tc) | 4.5V, 7V | 1.8mOhm @ 20A, 7V | 2V @ 106µA | 13.6 nC @ 7 V | ±7V | 1600 pF @ 7.5 V | - | 2.1W (Ta), 39W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-6-1 |
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ISK057N04LM6ATSA1MOSFET N-CH 40V 64A 6VSON Infineon Technologies |
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Tabla de datos |
OptiMOS™ 6 | 6-PowerVDFN | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40 V | 15A (Ta), 64A (Tc) | 4.5V, 10V | 5.75mOhm @ 20A, 10V | 2.3V @ 250µA | 12 nC @ 10 V | ±20V | 870 pF @ 20 V | - | 2.1W (Ta), 39.1W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-VSON-6-1 |
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BSB044N08NN3GXUMA2MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON Infineon Technologies |
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OptiMOS™ 3 | DirectFET™ Isometric ST | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 80 V | 18A (Ta), 90A (Tc) | 10V | 4.4mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 97µA | 73 nC @ 10 V | ±20V | 5700 pF @ 40 V | - | 2.2W (Ta), 78W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2 |
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BSF450NE7NH3XUMA2MOSFET N-CH 75V 5A/15A 2WDSON Infineon Technologies |
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OptiMOS™ 3 | DirectFET™ Isometric ST | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 75 V | 5A (Ta), 15A (Tc) | 7V, 10V | 45mOhm @ 8A, 10V | 3.8V @ 8µA | 6 nC @ 10 V | ±20V | 390 pF @ 37.5 V | - | 2.2W (Ta), 18W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2 |
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BSF134N10NJ3GXUMA2MOSFET N-CH 100V 9A/40A 2WDSON Infineon Technologies |
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OptiMOS™ | DirectFET™ Isometric ST | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 100 V | 9A (Ta), 40A (Tc) | 6V, 10V | 13.4mOhm @ 30A, 10V | 3.5V @ 40µA | 30 nC @ 10 V | ±20V | 2300 pF @ 50 V | - | 2.2W (Ta), 43W (Tc) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | MG-WDSON-2 |
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IGLT65R055D2GAN TRANSISTOR 650 V G5 Infineon Technologies Canada Inc. |
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CoolGaN™ | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 31A (Tc) | - | - | 1.6V @ 2.6mA | 6.6 nC @ 3 V | -10V | 330 pF @ 400 V | - | 104W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 |
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IGLT65R045D2GAN TRANSISTOR 650 V G5 Infineon Technologies Canada Inc. |
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CoolGaN™ | 16-PowerSOP Module | Tape & Reel (TR) | Active | N-Channel | GaNFET (Gallium Nitride) | 650 V | 38A (Tc) | - | - | 1.6V @ 3.3mA | 8.4 nC @ 3 V | -10V | 420 pF @ 400 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 |
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